型号: | SIA777EDJ-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 14/14页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L |
标准包装: | 3,000 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V,12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.5A,4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 225 毫欧 @ 1.6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.2nC @ 5V |
功率 - 最大: | 5W,7.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
包装: | 带卷 (TR) |