型号: | SIA811DJ-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 6/12页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
标准包装: | 3,000 |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 94 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 13nC @ 8V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 355pF @ 10V |
功率 - 最大: | 6.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
包装: | 带卷 (TR) |