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参数资料
| 型号： | SIA811DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiA811DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 1
t 2
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 85 °C/W
0.01
Single Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 74460
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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