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参数资料
| 型号： | SIB412DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 6.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiB412DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
V GS = 5 thr u 2 V
V GS = 1.5 V
5
4
3
8
4
2
1
T J = 25 °C
T J = 125 °C
V GS = 1 V
T J = - 55 °C
0
0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.075
0.050
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
600
400
C iss
0.025
V GS = 4.5 V
200
C oss
0.000
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
4
1. 8
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V , I D = 6.6 A
V GS = 2.5 V , I D = 5.5 A
V DS = 10 V
1.2
3
V DS = 16 V
0.9
V GS = 1. 8 V , I D = 1. 8 0 A
2
0.6
1
0
0.3
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB413DK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB433EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
| SIB457EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB413DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB414DK-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
| SIB414DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB415DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIB415DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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