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参数资料
| 型号： | SIB412DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 6.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiB412DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.10
0.0 8
I D = 6.6 A
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
0.04
T A = 125 °C
0.01
0.001
0.02
0.00
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
15
0.6
I D = 250 μ A
10
0.4
0.2
0.0
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited b y R DS(on) *
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
0.001
0.1
* V GS
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB413DK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB433EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
| SIB457EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB413DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB414DK-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
| SIB414DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB415DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIB415DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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