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参数资料
| 型号： | SIB413DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.63nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 357pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIB413DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB413DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
9
6
3
0
16
12
8
4
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 70441
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SIB417AEDK-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:P-CHANNEL 1.2-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P-CHAN 8V G-S PWRPACK 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Single P-Channel 8 V 0.032 O 11.3 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-75-6L |
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