参数资料
| 型号： | SIC769CD-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 电源电压： | 3 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SIC769CD-T1-E3-ND SIC769CD-T1-E3TR |
SiC769
Vishay Siliconix
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
V CI N ( V )
DSBL Falling Threshold vs. V CIN
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
V CI N ( V )
DSBL Rising Threshold vs. V CIN
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
1.15
V CI N ( V )
SMOD Falling Threshold vs. V CIN
4.4
V CI N ( V )
SMOD Rising Threshold vs. V CIN
4.2
1.10
4.0
1.05
1.00
3. 8
3.6
3.4
0.95
3.2
0.90
3.0
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
4.7
4. 8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
www.vishay.com
12
V CI N ( V )
PWM Falling Threshold vs. V CIN
V CI N ( V )
PWM Rising Threshold vs. V CIN
Document Number: 64981
S11-0975-Rev. F, 16-May-11
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SIP11204DLP-T1-E3 | IC REG CTRLR ISO PWM MLP44-16 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIC769DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Integrated DrMOS Power Stage |
| SIC778A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Performance DrMOS a?? Integrated Power Stage |
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| SIC778CD-T1-GE3 | 功能描述:功率驱动器IC DrMOS Integrated Power Stage RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SIC779 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Integrated DrMOS Power Stage |
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