参数资料
| 型号： | SIC769CD-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 电源电压： | 3 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SIC769CD-T1-E3-ND SIC769CD-T1-E3TR |
SiC769
Vishay Siliconix
DEVICE TRUTH TABLE
DSBL#
Open
L
H
H
H
H
SMOD
X
X
L
L
H
H
PWM
X
X
L
H
H
L
GH
L
L
L
H
H
L
GL
L
L
H (I L > 0), L (I L ? 0)
L
L
H
TRISTATE PWM VOLTAGE THRESHOLD DIAGRAM
P W M
V th_p w m_r
V th_tri_f
V th_tri_r
V th_p w m_f
GH
t TSH O
GL
t TSHO
Figure 3
SMOD OPERATION DIAGRAM
DSBL
SMOD
P W M
GH
Document Number: 64981
S11-0975-Rev. F, 16-May-11
GL
V S W
t d(O N )
I L > 0
t d(OFF)
I L = 0
Figure 4
www.vishay.com
7
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIC778CD-T1-GE3 | 功能描述:功率驱动器IC DrMOS Integrated Power Stage RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SIC779 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Integrated DrMOS Power Stage |
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