- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录515 > SIHP12N60E-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIHP12N60E-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | E 系列 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 937pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 147W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
SiHP12N60E
100
www.vishay.com
15
12
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
9
T J = 25 °C
6
1
3
V GS = 0 V
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
1000
Operation in thi s Area
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
750
725
100
Limited by R D S (on)
I DM = Limited
700
675
10
650
1
Limited by R D S (on) *
100 μ s
1 m s
625
600
0.1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
575
550
0.01
525
1
10
100
1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-0646-Rev. C, 26-Mar-12
4
Document Number: 91479
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| SIHP5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
| SIHP7N60E-GE3 | MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB |
| SIHU3N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHP12N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiHP12N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:700 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:12 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.392 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB-3 封装:Bulk |
| SIHP14N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHP14N50D-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-22 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N-CH, 500V, 14A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:208W; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
| SIHP15N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。