- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录515 > SIHP5N50D-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIHP5N50D-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SIHP5N50D-E3CT |
SiHP5N50D
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
12
3
Vishay Siliconix
9
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
T J = 25 °C
2.5
2
I D = 2.5 A
6
1.5
3
0
8V
7V
6V
1
0.5
0
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
8
TOP 15 V
1000
14 V
13 V
12 V
T J = 150 °C
C i ss
6
4
2
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
100
10
C o ss
C r ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
0
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
12
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 400 V
9
20
16
V D S = 250 V
V D S = 100 V
6
3
T J = 150 °C
12
8
0
T J = 25 °C
4
0
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
15
18
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-0690-Rev. A, 02-Apr-12
3
Document Number: 91489
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
| SIHP7N60E-GE3 | MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB |
| SIHU3N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
| SIHU5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
| SIJ400DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SiHP5N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHP6N40D-E3 | 功能描述:MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHP6N40D-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N-CH, 400V, 6A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Vishay 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SiHP6N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:7 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.6 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB 封装:Bulk |
| SIHP7N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。