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参数资料
| 型号： | SIR-56ST3FF |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EMITTER IR 950NM 5MM |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 5.6mW/sr @ 50mA |
| 波长： | 950nm |
| 正向电压： | 1.3V |
| 视角： | 30° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
| 包装： | 袋 |
| 其它名称： | 511-1364 SIR-56ST3F SIR-56ST3F-ND |
SIR-56ST3F
Sensors
Electrical and optical characteristics (Ta = 25 ° C)
Parameter
Optical output
Emitting strength
Forward voltage
Reverse current
Peak light emitting wavelength
Spectral line half width
Half-viewing angle
Pesponse time
Cut-off frequency
Symbol
P O
I E
V F
I R
λ P
?λ
θ 1 / 2
tr·tf
f C
Min.
?
5.6
?
?
?
?
?
?
?
Typ.
8.0
?
1.3
?
950
40
± 15
1.0
1.0
Max.
?
?
1.6
10
?
?
?
?
?
Unit
mW
mW/sr
V
μ A
nm
nm
deg
μ s
MHz
I F = 50mA
I F = 50mA
I F = 100mA
V R = 3V
I F = 50mA
I F = 50mA
I F = 50mA
I F = 50mA
I F = 50mA
Conditions
Electrical and optical characteristic curves
100
100
80
100
80
? 25 ° C
0 ° C
25 ° C
50 ° C
75 ° C
80
60
60
60
40
20
40
20
40
20
0
? 20
0
20
40
60
80
100
0
0
1
2
0
900
920
940
960
980
1000
AMBIENT TEMPERATURE : Ta ( ° C)
Fig.1 Forward current falloff
FORWARD VOLTAGE : V F (V)
Fig.2 Forward current vs. forward voltage
OPTICAL WAVELENGTH : λ (nm)
Fig.3 Wavelength
20
200
100
10
50
20
10
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
? 25
0
25
50
75
100
FORWARD CURRENT : I F (mA)
Fig.4 Emitting strength vs.
forward current
AMBIENT TEMPERATURE : Ta ( ° C)
Fig.5 Relative emitting strength vs.
ambient temperature
Rev.A
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PDF描述 |
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| SIR642DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR644DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 2.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 2.7mohm@10V |
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