收藏本站
参数资料
型号： SIR-56ST3FF
厂商： Rohm Semiconductor
文件页数： 3/4页
文件大小： 0K
描述： EMITTER IR 950NM 5MM
标准包装： 1,000
电流 - DC 正向(If)： 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流： 5.6mW/sr @ 50mA
波长： 950nm
正向电压： 1.3V
视角： 30°
方向： 顶视图
安装类型： 通孔
封装/外壳： T 1 3/4
包装： 袋
其它名称： 511-1364
SIR-56ST3F
SIR-56ST3F-ND
SIR-56ST3F
Sensors
20 °
10 °
0 °
100
30 °
40 °
80
50 °
60
60 °
70 °
80 °
40
20
90 °
100
80
60
40
20
0
10 ° 20 ° 30 ° 40 ° 50 ° 60 ° 70 ° 80 ° 90 °
RELATIVE EMITTING STRENGTH (%)
AMGULAR DISPLACEMENT : θ (deg)
Fig.6 Directional pattern
Rev.A
3/3
相关PDF资料
PDF描述
SIR12-21C/TR8 LED IR GAA1AS WATER CLR RA SMD
SIR158DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SIR19-21C/TR8 LED IR GAA1AS WATER CLR FLAT SMD
SIR19-315/TR8 LED IR A1GAAS WATER CLR MINI SMD
SIR204-A LED IR 3MM GAA1AS BLUE RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
SIR640ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 1.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 1.7mohm@10V
SIR640DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIR640DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR642DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR644DP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 2.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 2.7mohm@10V
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*