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参数资料
| 型号： | SIR892DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2645pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR892DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR892DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
V GS = 10 thr u 4 V
5
4
42
2 8
14
0
V GS = 3 V
3
2
1
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0. 8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0045
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0040
V GS = 4.5 V
2 8 00
C iss
0.0035
0.0030
0.0025
0.0020
V GS = 10 V
2100
1400
700
0
C rss
C oss
0
12
24
36
4 8
60
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.5
V DS = 5 V
6
V DS = 15 V
4
2
1.2
0.9
V GS = 4.5 V
0
0.6
0.0
8 .4
16. 8
25.2
33.6
42.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68639
S-83048-Rev. B, 22-Dec-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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