- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIR892DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR892DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2645pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR892DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR892DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
0.015
0.012
0.009
I D = 10 A
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.006
0.003
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
160
0.1
120
- 0.2
- 0.5
- 0. 8
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
10 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68639
S-83048-Rev. B, 22-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR928-6C-F | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
| SIRA02DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
| SIRA04DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK |
| SIRA10DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 |
| SIS412DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR-8CH | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIR91-21C | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:.9mm Round Subminiature “Z-Bend” Lead Infrared LED |
| SIR91-21C/TR7 | 制造商:Everlight Electronics Co 功能描述: |
| SIR928-6C-F | 功能描述:红外发射源 Infrared LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR-94T530 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:Infrared emittng dode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。