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参数资料
| 型号： | SIZ902DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29W，66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ902DT-T1-GE3DKR |
Package Information
www.vishay.com
PowerPAIR ? 6 x 5 Case Outline
Vishay Siliconix
0.10 C
D
A
z
b
2X
Pin 8
Pin 7
Pin 6
Pin 5
Pin 5
Pin 6
Pin 7
Pin 8
D1
D1
Pin # 1 ident
Pin 1
Pin 2
Pin 3
Pin 4
2X
0.10 C
Pin 4
Pin 3
Pin 2
Pin 1
(optional)
e
0.10 C
Top s ide view
C
b1
Back s ide view
0.08 C
F
MILLIMETERS
F
INCHES
DIM.
A
A1
A3
b
MIN.
0.70
0.00
0.15
0.43
NOM.
0.75
-
0.20
0.51
MAX.
0.80
0.10
0.25
0.61
MIN.
0.028
0.000
0.006
0.017
NOM.
0.030
-
0.007
0.020
MAX.
0.032
0.004
0.009
0.024
b1
0.25 BSC
0.010 BSC
D
D1
E
E1 Option AA (for W/B)
E1 Option AB (for BWL)
E2
4.90
3.75
5.90
2.62
2.42
0.87
5.00
3.80
6.00
2.67
2.47
0.92
5.10
3.85
6.10
2.72
2.52
0.97
0.192
0.148
0.232
0.103
0.095
0.034
0.196
0.150
0.236
0.105
0.097
0.036
0.200
0.152
0.240
0.107
0.099
0.038
e
K Option AA (for W/B)
K Option AB (for BWL)
K1
1.27 BSC
0.45 typ.
0.65 typ.
0.66 typ.
0.005 BSC
0.018 typ.
0.025 typ.
0.025 typ.
L
0.33
0.43
0.53
0.013
0.017
0.020
L3
z
ECN: T13-0354-Rev. B, 20-May-13
DWG: 6005
Revision: 20-May-13
0.23 BSC
0.34 BSC
1
0.009 BSC
0.013 BSC
Document Number: 63656
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SIZ904DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ904DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ910DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ910DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ916DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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