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参数资料
| 型号： | SIZ902DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29W，66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ902DT-T1-GE3DKR |
New Product
SiZ902DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.016
10
T J = 150 ° C
0.014
0.012
I D = 20 A
0.010
T J = 125 ° C
0.008
1
T J = 25 ° C
0.006
0.004
T J = 25 ° C
0.1
0.002
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.0
1.8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.6
30
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 250 μA
20
10
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
1000
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power
100 μs
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 ° C
10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 63465
S11-2380 Rev. B, 28-Nov-11
www.vishay.com
9
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ904DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ904DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ910DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ910DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ916DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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