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参数资料
| 型号： | SIZ902DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29W，66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ902DT-T1-GE3DKR |
New Product
SiZ902DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
20
V GS = 10 V thru 4 V
16
60
12
40
V GS = 3 V
8
T C = 25 ° C
20
0
4
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0.0
0.5 1.0 1.5
2.0
0.0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.008
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3500
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.007
V GS = 4.5 V
C iss
2500
2000
0.006
1500
V GS = 10 V
0.005
1000
C rss
C oss
500
0.004
0
20
40
60
80
0
0
5
10 15 20 25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 7.5 V
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
6
V DS = 15 V
1.2
4
2
0
V DS = 24 V
1.0
0.8
0.6
0
9
18 27 36
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63465
S11-2380 Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ904DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ904DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ910DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ910DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ916DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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