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参数资料
| 型号： | SIZ902DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29W，66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ902DT-T1-GE3DKR |
New Product
SiZ902DT
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS (T J = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
? V DS /T J
? V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
30
30
33
33
-5
- 4.6
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate Source Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1
1
2.2
2.2
± 100
± 100
V
nA
V DS = 30 V, V GS = 0 V
Ch-1
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
Ch-1
1
5
μA
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
5
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
V GS = 10 V, I D = 13.8 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
20
20
0.010
0.012
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 20 A
V GS = 4.5 V, I D = 12.6 A
Ch-2
Ch-1
0.0053 0.0064
0.0120 0.0145
?
V GS = 4.5 V, I D = 20 A
Ch-2
0.0068 0.0083
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 13.8 A
V DS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
47
63
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 13.8 A
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
790
2600
190
485
76
215
14
43
6.8
21
65
11
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 13.8 A
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 20 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
21
2.6
8.1
1.9
6.5
32
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
Ch-1
Ch-2
0.4
0.3
2
1.5
4
3
?
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 63465
S11-2380 Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ904DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ904DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ910DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ910DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ916DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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