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参数资料
| 型号： | SST25WF512-40-5I-SAF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 512K 40MH SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020 / SST25WF040
Data Sheet
Block Diagram
Address
X - Decoder
SuperFlash
Memory
Buffers
and
Latches
Y - Decoder
I/O Buffers
Control Logic
and
Data Latches
Serial Interface
CE#
SCK
SI
SO
WP#
RST#/HOLD#
1328 F01.0
Note: In AAI mode, the SO pin functions as an RY/BY# pin when configured as a ready/
busy status pin. See “End-of-Write Detection” on page 16. for more information.
Figure 1: Functional Block Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
3
DS25016A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST2602 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
| SST2603 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
| SST2604 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
| SST2604_10 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
| SST2605 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
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