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参数资料
| 型号： | SST55LD017C-40-I-TQW |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | MS-026AED, TQFP-100 |
| 文件页数： | 32/52页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | SST55LD017C-40-I-TQW |
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38
EOL Product Data Sheet
ATA Flash Disk Controller
SST55LD017A / SST55LD017B / SST55LD017C
2006 Silicon Storage Technology, Inc.
S71211-03-EOL
4/06
11.1 DC Characteristics
In the table below, x refers to the characteristics described in Section 11.1.1. For example, I1U indicates a pull up
resistor with a type 1 input characteristic.
TABLE
11-3: CAPACITANCE (Ta = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
Units
CI/O1
I/O Pin Capacitance
VI/O = 0V
15
pF
CIN1
Input Capacitance
VIN = 0V
9
pF
T11-3.1 1211
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE
11-4: RELIABILITY CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
ILTH1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Latch Up
100 + IDD
mA
JEDEC Standard 78
T11-4.1 1211
TABLE
11-5: INPUT CHARACTERISTICS, VDD = VDDQ = 3.135-3.465V
Type
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Max
Units
IxZ
Input Leakage Current
IL
VIH = VDDQ Max; VIL = VSS
VDD = VDDQ = VDD Max
-10
10
A
I5U
Pull Up Resistor
RPU2
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
500
KOhm
I1U-I4U
Pull Up Resistor
RPU1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
1500
KOhm
I2D
Pull Down Resistor
RPD1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
1500
KOhm
T11-5.7 1211
TABLE
11-6: INPUT CHARACTERISTICS, VDDQ = 4.5-5.5V, VDD = 3.135-3.465V
Type
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Max
Units
I1U-I4U
Pull Up Resistor
RPU1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
700
KOhm
I2D
Pull Down Resistor
RPD1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
700
KOhm
T11-6.9 1211
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