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参数资料
型号： SST55LD017C-40-I-TQW
厂商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分类： 存储控制器/管理单元
英文描述： FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
封装： MS-026AED, TQFP-100
文件页数： 37/52页
文件大小： 606K
代理商： SST55LD017C-40-I-TQW
42
EOL Product Data Sheet
ATA Flash Disk Controller
SST55LD017A / SST55LD017B / SST55LD017C
2006 Silicon Storage Technology, Inc.
S71211-03-EOL
4/06
TABLE 11-13: OUTPUT VOLTAGE CHARACTERISTICS (Ta = -40°C to +85°C), VDD = VDDQ = 3.135-3.465V
Type1
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Conditions
O1
Output Voltage
VOH
VDD-0.9
Volts
IOH=-1.3 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDD-3.0
IOL=1.3 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
O2
Output Voltage
VOH
VDDQ-1.0
Volts
IOH=-2 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDDQ-2.9
IOL=2 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
O3
Output Voltage
VOH
VDD-0.9
Volts
IOH=-4 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDD-3.0
IOL=4 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
O4
Output Voltage
VOH
VDDQ-1.0
Volts
IOH=-4 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDDQ-2.9
IOL=4 mA, VDD=VDDQ=VDDQ Min
T11-13.9 1211
1. O2 and O4 are for host side interface only. O1 and O3 are for flash media interface only.
TABLE 11-14: OUTPUT VOLTAGE CHARACTERISTICS (Ta = -40°C to +85°C), VDDQ = 4.5-5.5V, VDD = 3.135-3.465V
Type1
1. O2 and O4 are for host side interface only. O1 and O3 are for flash media interface only.
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Conditions
O1
Output Voltage
VOH
VDD-0.9
Volts
IOH=-1.3 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDD-3.0
IOL=1.3 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
O2
Output Voltage
VOH
VDDQ-1.3
Volts
IOH=-3 mA, VDD=VDD Min; VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDDQ-4.6
IOL=3 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
O3
Output Voltage
VOH
VDD-0.9
Volts
IOH=-4 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDD-3.0
IOL=4 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
O4
Output Voltage
VOH
VDDQ-1.3
Volts
IOH=-6 mA, VDD=VDD Min; VDDQ=VDDQ Min
VOL
VDDQ-4.6
IOL=6 mA, VDD=VDD Min, VDDQ=VDDQ Min
T11-14.7 1211
TABLE 11-15: DC CHARACTERISTICS, VDDQ = 4.5-5.5V, VDD = 3.135-3.465V
Symbol
Parameter
Typ
Max
Units
Conditions
IDDactive1,2
1. Sequential data transfer for 1 sector read data from Host interface and write data to media.
2. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Power supply current (Ta = -40°C to +85°C)
35
50
mA
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
ISP
Sleep/Standby/Idle current (Ta = 0°C to +70°C)
50
75
A
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
ISP
Sleep/Standby/Idle current (Ta = -40°C to +85°C)
75
200
A
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
T11-15.7 1211
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PDF描述
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参数描述
SST55LD017D-40-C-TQW 功能描述:闪存 MEDIA CONTLR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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