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参数资料
型号： ST10F273M-4QR3
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 64 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144
封装： 28 X 28 MM, 3.40 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QFP-144
文件页数： 43/182页
文件大小： 3222K
代理商： ST10F273M-4QR3
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ST10F273M
Electrical characteristics
137/182
24.7
A/D converter characteristics
VDD = 5V ± 10%, VSS = 0V, TA = -40 to +125°C, 4.5V ≤ VAREF ≤ VDD,
VSS ≤ VAGND ≤ VSS + 0.2V
Table 59.
Flash data retention characteristics
Number of program / erase
cycles
(-40°C < TA < 125°C)
Data retention time
(average ambient temperature 60°C)
256 Kbyte (code store)
64 Kbyte
(EEPROM emulation)(1)
1.
Two 64 Kbyte Flash Sectors may be typically used to emulate up to 4, 8 or 16 Kbytes of EEPROM.
Therefore, in case of an emulation of a 16 Kbyte EEPROM, 100,000 Flash Program / Erase cycles are
equivalent to 800,000 EEPROM Program/Erase cycles.
For an efficient use of the Read While Write feature and/or EEPROM Emulation, please refer to the
dedicated application note EEPROM Emulation with ST10F2xx (AN2061). Contact your local field service,
local sales person or STMicroelectronics representative to obtain a copy of such a guideline document.
0 - 100
> 20 years
1000
-
> 20 years
10000
-
10 years
100000
-
1 year
Table 60.
A/D converter characteristics
Symbol
Parameter
Test condition
Limit values
Unit
Min
Max
VAREF SR
Analog reference voltage(1)
4.5
VDD
V
VAGND SR
Analog ground voltage
VSS
VSS + 0.2
V
VAIN
SR
Analog input voltage(2)
VAGND
VAREF
V
IAREF CC
Reference supply current
Running mode(3)
–5
mA
Power down mode
–
1
A
tS
CC
Sample time
(4)
1–
s
tC
CC
Conversion time
(5)
3–
s
DNL
CC
Differential non linearity(6)
No overload
–1
+1
LSB
INL
CC
Integral non linearity(6)
No overload
–1.5
+1.5
LSB
OFS
CC
Offset error(6)
No overload
–1.5
+1.5
LSB
TUE
CC
Total unadjusted error(6)
Port5
Port1 - No overload(3)
Port1 - Overload(3)
–2.0
–5.0
–7.0
+2.0
+5.0
+7.0
LSB
K
CC
Coupling factor between
inputs(3)(7)
On both Port5 and
Port1
–10–6
–
CP1
CC
Input pin capacitance(3)(8)
–3
pF
CP2
CC
Port5
Port1
–
4
6
pF
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PDF描述
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