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参数资料
型号： ST10F276Z5Q3
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, MROM, 64 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
封装： 28 X 28 MM, 3.40 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-144
文件页数： 96/239页
文件大小： 2271K
代理商： ST10F276Z5Q3
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ST10F276Z5
Electrical characteristics
185/239
23.6
Flash characteristics
VDD = 5 V ± 10%, VSS = 0 V
Table 93.
Flash characteristics
Parameter
Typical
TA = 25 °C
Maximum
TA = 125 °C
Unit
Notes
0 cycles (1)
0 cycles (1)
100k cycles
Word program (32-bit)(2)
35
80
290
s–
Double word program
(64-bit)(2)
60
150
570
s–
Bank 0 program (384K)
(double word program)
2.9
7.4
28.0
s
–
Bank 1 program (128K)
(double word program)
1.0
2.5
9.3
s
–
Bank 2 program (192K)
(double word program)
1.5
3.7
14.0
s
–
Bank 3 program (128K)
(double word program)
1.0
2.5
9.3
s
–
Sector erase (8K)
0.6
0.5
0.9
0.8
1.0
0.9
s
not preprogrammed
preprogrammed
Sector erase (32K)
1.1
0.8
2.0
1.8
2.7
2.5
s
not preprogrammed
preprogrammed
Sector erase (64K)
1.7
1.3
3.7
3.3
5.1
4.7
s
not preprogrammed
preprogrammed
Bank 0 erase (384K) (3)
8.2
5.8
20.2
17.7
28.6
26.1
s
not preprogrammed
preprogrammed
Bank 1 erase (128K) (3)
3.0
2.2
7.0
6.2
9.8
9.0
s
not preprogrammed
preprogrammed
Bank 2 erase (192K) (3)
4.3
3.1
10.3
9.1
14.5
13.3
s
not preprogrammed
preprogrammed
Bank 3 erase (128K) (3)
3.0
2.2
7.0
6.2
9.8
9.0
s
not preprogrammed
preprogrammed
I-Module erase (512K)(4)
11.2
7.6
27.2
23.5
38.4
34.7
s
not preprogrammed
preprogrammed
X-Module erase (320K)(4)
7.3
4.9
17.3
14.8
24.3
21.8
s
not preprogrammed
preprogrammed
Chip erase (832K) (5)
18.5
12.0
44.4
37.9
62.6
56.1
s
not preprogrammed
preprogrammed
Recovery from
Power-down (tPD)
–40
40
s
(6)
Program suspend
latency(6)
–10
10
s
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PDF描述
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