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参数资料
| 型号： | STGW20NB60KD |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
| 中文描述： | N沟道20A条- 600V的-到247短路证明PowerMESH？ IGBT的 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | STGW20NB60KD |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
0.83
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
250
2000
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 20 A
I
C
= 20 A
T
j
= 125
o
C
2.3
1.9
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 20 A
7.0
10
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
1200
140
28
1700
200
40
2200
260
52
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
110
13
51
145
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V
T
j
= 150
o
C
R
G
=10
80
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 20 A
R
G
= 10
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
20
70
ns
ns
E
on
(
H
)
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
350
550
A/
μ
s
μ
J
STGW20NB60HD
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PDF描述 |
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