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参数资料
| 型号： | STM32F103VBT6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 1.25 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |
| 文件页数： | 49/92页 |
| 文件大小： | 1212K |
| 代理商： | STM32F103VBT6TR |
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STM32F103x8, STM32F103xB
Electrical characteristics
Doc ID 13587 Rev 11
5.3.8
PLL characteristics
The parameters given in Table 27 are derived from tests performed under ambient
5.3.9
Memory characteristics
Flash memory
The characteristics are given at TA = –40 to 105 °C unless otherwise specified.
Table 26.
Low-power mode wakeup timings
Symbol
Parameter
Typ
Unit
tWUSLEEP
(1)
1.
The wakeup times are measured from the wakeup event to the point in which the user application code
reads the first instruction.
Wakeup from Sleep mode
1.8
s
tWUSTOP
Wakeup from Stop mode (regulator in run mode)
3.6
s
Wakeup from Stop mode (regulator in low power
mode)
5.4
tWUSTDBY
Wakeup from Standby mode
50
s
Table 27.
PLL characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min(1)
1.
Based on characterization, not tested in production.
Typ
Max(1)
fPLL_IN
PLL input clock(2)
2.
Take care of using the appropriate multiplier factors so as to have PLL input clock values compatible with
the range defined by fPLL_OUT.
18.0
25
MHz
PLL input clock duty cycle
40
60
%
fPLL_OUT
PLL multiplier output clock
16
72
MHz
tLOCK
PLL lock time
200
s
Jitter
Cycle-to-cycle jitter
300
ps
Table 28.
Flash memory characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Max(1)
Unit
tprog
16-bit programming time
TA–40 to +105 °C
40
52.5
70
s
tERASE Page (1 KB) erase time
TA –40 to +105 °C
20
40
ms
tME
Mass erase time
TA –40 to +105 °C
20
40
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SAF-XC2265N-16F66L | 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STM32F103VBT7XXX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces |
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