参数资料
型号: STP5NB100FP
厂商: 意法半导体
英文描述: JFET; Breakdown Voltage, V(br)gss:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Min, Idss:50mA; Zero Gate Voltage Drain Current Max, Idss:50mA; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-10V; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
中文描述: ? -频道1000V - 2.4ohm - 5A条- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET的
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文件大小: 106K
代理商: STP5NB100FP
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.45
0.7
0.017
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G1
123
F2
F1
L7
L4
TO-220FP MECHANICAL DATA
STP5NB100/STP5NB100FP
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PDF描述
STP5NK65Z JFET; Breakdown Voltage, V(br)gss:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Min, Idss:100mA; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-9V; Continuous Drain Current, Id:100mA; Current Rating:100mA; Gate-Source Breakdown Voltage:-25V RoHS Compliant: No
STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP6X1MIG INTERCONNECTION DEVICE
STP6X7MIG INTERCONNECTION DEVICE
STPF1020CTN 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
STP5NB40 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP5NB40FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP5NB60 功能描述:MOSFET RO 511-STP4NK60Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP5NB60FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP5NB80 功能描述:MOSFET RO 511-STP5NK80Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube