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参数资料
| 型号： | SUD50N02-09P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD50N02-09P-E3DKR |
SUD50N02-09P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
60
Transconductance
T C = ? 55 _ C
0.030
On-Resistance vs. Drain Current
50
40
30
20
10
0
25 _ C
125 _ C
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
2000
1600
Capacitance
10
8
V DS = 10 V
I D = 50 A
Gate Charge
C iss
1200
800
400
0
C rss
C oss
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Q g ? Total Gate Charge (nC)
1.8
1.6
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.4
1.2
10
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
1.0
0.8
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 72034
S-41168—Rev. C, 14-Jun-04
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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