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参数资料
| 型号： | SUD50N03-16P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-16P
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Transconductance
60
T C = ? 55 _ C
50
25 _ C
40
125 _ C
30
0.05
0.04
0.03
Vishay Siliconix
On-Resistance vs. Drain Current
V GS = 4.5 V
20
10
0
0.02
0.01
0.00
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
1500
1200
900
600
300
Capacitance
C iss
C oss
10
8
6
4
2
V DS = 15 V
I D = 50 A
Gate Charge
C rss
0
0
0
5
10
15
20
25
30
0
3
6
9
12
15
18
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Q g ? Total Gate Charge (nC)
2.1
1.8
1.5
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 15 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
10
1.2
0.9
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 72634
S-40466—Rev. A, 15-Mar-04
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUD50N04-05L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 115A 136W 5.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-06H | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S), 175∩ MOSFET |
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