- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50N03-16P-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50N03-16P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-16P
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
New Product
20
Maximum Drain Current vs.
Ambiemt Temperature
100
Safe Operating Area
10 m s
15
10
Limited
by r DS(on)
100 m s
1 ms
10 ms
10
1
100 ms
1s
5
0.1
T A = 25 _ C
Single Pulse
10 s
dc, 100 s
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T A ? Ambient Temperature ( _ C)
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10 ? 4
10 ? 3
10 ? 2
10 ? 1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10 ? 4
10 ? 3
10 ? 2
10 ? 1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (sec)
www.vishay.com
4
Document Number: 72634
S-40466—Rev. A, 15-Mar-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N04-05L-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-09H-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-16P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-37P-T4-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-7M3P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 50A 65A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-05L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S), 175 C MOSFET |
| SUD50N04-05L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 115A 136W 5.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-06H | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S), 175∩ MOSFET |
| SUD50N04-06H-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。