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参数资料
| 型号： | SUD50P04-23-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P04-23
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
V GS = 10 thr u 4 V
2.0
64
4 8
32
16
3 V
1.6
1.2
0. 8
0.4
T C = 125 °C
25 °C
0
0.0
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
50
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.05
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
40
25 °C
0.04
30
125 °C
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
20
10
0
0.02
0.01
0.00
0
7
14
21
2 8
0
16
32
4 8
64
8 0
0.20
0.16
0.12
0.0 8
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
125 °C
3000
2400
1 8 00
1200
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
0.04
600
C oss
0.00
25 °C
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
8
16
24
32
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 74423
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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