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参数资料
| 型号： | SUD50P04-23-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P04-23
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
I D = 30 A
2.1
I D = 15 A
8
V DS = 20 V
1. 8
V GS = 4.5 V
6
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 30 V
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.7
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.3
0.1
- 0.1
- 0.3
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
160
120
8 0
40
0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
120
8 0
40
0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
Document Number: 74423
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
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