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参数资料
| 型号： | SUD50P04-40P-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1555pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P04-40P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.12
0.09
I D = 5 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
T A = 125 °C
0.03
T A = 25 °C
1
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
0.7
0.5
0.3
0.1
- 0.1
- 0.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
120
96
72
4 8
24
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
120
96
72
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by r DS(on) *
1 ms
10 ms
1
100 ms
4 8
1s
24
0
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
0.01
0.1
1
10
100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69731
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P06-15L-T4-E3 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| SUD50P08-26-E3 | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
| SUD50P10-43-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P06-15 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SUD50P06-15-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P06-15L | 功能描述:MOSFET 60V 50A 136W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P06-15L-E3 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P06-15L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET |
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