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参数资料
型号： SUD50P04-40P-T4-E3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 8/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH D-S 40V TO252
标准包装： 2,500
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 40 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1555pF @ 20V
功率 - 最大： 2.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： TO-252，（D-Pak）
包装： 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
3
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
SUD50P06-15 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SUD50P06-15-GE3 功能描述:MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50P06-15L 功能描述:MOSFET 60V 50A 136W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50P06-15L-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50P06-15L-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET
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