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参数资料
| 型号： | SUD50P06-15L-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
80
70
60
50
40
30
V GS = 10 V thru 4 V
70
60
50
40
30
20
3V
20
T C = 125 ° C
10
0
10
0
25 ° C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.025
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
80
60
40
20
0
125 °C
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
7000
6000
8
V DS = 30 V
I D = 50 A
5000
4000
3000
C iss
6
4
2000
2
1000
0
C rss
C oss
0
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
120
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72250
S10-2545-Rev. C, 08-Nov-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUD50P08-25L-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P08-26-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 50A 136W 26mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P10-43-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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