- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50P06-15L-T4-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 60V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50P06-15L-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.8
1.6
V GS = 10 V
I D = 17 A
100
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
60
100
I DM Limited
Limited by R DS(on)*
50
P(t) = 0.0001
40
30
20
10
I D(on)
Limited
T C = 25 °C
P(t) = 0.001
10
Single Pulse
P(t) = 0.01
1
BVDSS Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0
0.1
1 10 100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
2
1
0.1
T C - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?72250 .
www.vishay.com
4
Document Number: 72250
S10-2545-Rev. C, 08-Nov-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P08-26-E3 | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
| SUD50P10-43-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P08-25L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUD50P08-25L-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P08-26-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 50A 136W 26mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P10-43-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。