参数资料
型号: SUM110N04-2M1P-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK
标准包装: 800
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 18800pF @ 20V
功率 - 最大: 3.13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)
New Product
SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
200
150
V GS = 10 thru 5 V
V GS = 4 V
5
4
3
T C = 125 °C
100
50
0
V GS = 3 V
2
1
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
400
320
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.0040
0.0032
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
240
160
8 0
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0024
0.0016
0.000 8
0.0000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
15
30
45
60
75
90
0
20
40
60
8 0
100
120
24000
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
C iss
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
V DS = 20 V
16000
6
8 000
4
V DS = 10 V
V DS = 30 V
C oss
2
0
C rss
0
0
10
20
30
40
0
50
100
150
200
250
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 69983
S-80680-Rev. A, 31-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述
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