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参数资料
| 型号： | SUM110N04-2M1P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18800pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
350
400
350
2 8 0
300
210
250
200
140
Package Limited
150
100
70
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T J - J u nction to Case (°C)
Current Derating*
T J - J u nction to Case (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?69983.
Document Number: 69983
S-80680-Rev. A, 31-Mar-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| SUM110P04-04L-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110P06-08L-E3 | MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110N04-2M3L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 110A 375W 2.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110N04-2M3L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SUM110N04-2M7H | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM110N04-2M7H-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM110N05-06L | 功能描述:MOSFET 55V 110A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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