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参数资料
| 型号： | SUM110N04-2M1P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18800pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AN826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR D 2 PAK: 3-Lead
0.420
(10.668)
0.145
(3.683)
0.135
(3.429)
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Document Number: 73397
11-Apr-05
0.200
(5.080)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.050
(1.257)
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| SUM110P04-04L-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110P06-08L-E3 | MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110N04-2M3L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 110A 375W 2.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110N04-2M3L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SUM110N04-2M7H | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM110N04-2M7H-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM110N05-06L | 功能描述:MOSFET 55V 110A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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