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参数资料
| 型号： | SUM110N05-06L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM110N05-06L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
250
200
150
100
V GS = 10 thru 5 V
4V
200
150
100
50
50
T C = 125 °C
25 °C
0
2, 3 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
160
120
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0.012
0.009
V GS = 4.5 V
80
40
0
0.006
0.003
0.000
V GS = 10 V
0
15
30
45
60
75
90
0
20
40
60
80
100
120
5000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
4000
3000
2000
C rss
C iss
16
12
8
V GS = 30 V
I D = 110 A
1000
0
C oss
4
0
0
11
22
33
44
55
0
20
40
60
80
100
120
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72005
S-80108-Rev. C, 21-Jan-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110N05-06L-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 55-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET |
| SUM110N06-04L | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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| SUM110N06-04L-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 110A 3PIN TO-263 - Rail/Tube |
| SUM110N06-05L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175-C MOSFET |
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