参数资料
型号: SUM110N05-06L-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK
标准包装: 800
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V
功率 - 最大: 3.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)
SUM110N05-06L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.5
2.0
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
1.5
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.0
0.5
0.0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
100
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
70
65
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 10 mA
10
1
0.1
I AV (A) at T J = 150 °C
I AV (A) at T J = 25 °C
60
55
50
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 72005
S-80108-Rev. C, 21-Jan-08
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PDF描述
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