- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录527 > SUP60N02-4M5P-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUP60N02-4M5P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
120
V GS = 10 thr u 5 V
V GS = 4 V
120
100
90
8 0
60
60
T C = 25 °C
40
30
0
V GS = 3 V
20
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
200
160
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = -55 °C
0.010
0.00 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
120
8 0
40
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.006
0.004
0.002
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
0.020
0.016
0.012
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
I D = 20 A
7500
6000
4500
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
0.00 8
0.004
T A = 150 °C
3000
1500
C oss
0
T A = 25 °C
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1 8
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 69821
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP60N10-16L-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SUP60N10-18P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SUP65P04-15-E3 | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP60N06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
| SUP60N06-12P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SUP60N06-12P-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP60N06-12P-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP60N06-18 | 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。