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参数资料
| 型号： | T431616D |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100万× 16内存为512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 10/74页 |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616D |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 18
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
Recommended D.C. Operating Conditions (VDD = 3.3V
±±±± 0.3V, Ta = 0~70°C)
- 5/6/7(T431616D)
- 7(T431616E)
Description/Test condition
Symbol
Max.
Unit
Note
Operating Current
tRC
≥ tRC(min), Outputs Open, Input
signal one transition per one cycle
1 bank
operation
IDD1
130/115/100
40
3
Precharge Standby Current in non-power down mode
tCK = tCK(min), CS#
≥ VIH, CKE = VIH
Input signals are changed once during 30ns.
IDD2N
25
15
3
Precharge Standby Current in power down mode
tCK = tCK(min), CKE
≤ VIL(max)
IDD2P
2
0.8
3
Precharge Standby Current in power down mode
tCK =
∞,CKE ≤ VIL(max)
IDD2PS
2
0.8
Active Standby Current in power down mode
CKE
≤ VIL(max), tCK = tCK(min)
IDD3P
2
1.5
3
Active Standby Current in non-power down mode
CKE
≥ VIL(max), tCK = tCK(min)
IDD3N
40
20
Operating Current (Burst mode)
tCK=tCK(min), Outputs Open, Multi-bank interleave,gapless data
IDD4
165/150/140
40
3, 4
Refresh Current
tRC
≥ tRC(min)
IDD5
115/100/90
40
mA
3
Self Refresh Current
VIH
≥ VDD - 0.2, 0V ≤ VIL ≤ 0.2V
IDD6
2
0.6
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit Note
IIL
Input Leakage Current
( 0V
≤ VIN ≤ VDD, All other pins not under test = 0V )
- 10
10
uA
IOL
Output Leakage Current
Output disable, 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
- 10
10
uA
VOH
LVTTL Output "H" Level Voltage
( IOUT = -2mA )
2.4
-
V
VOL
LVTTL Output "L" Level Voltage
( IOUT = 2mA )
-
0.4
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| T613-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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