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参数资料
| 型号： | T431616D |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100万× 16内存为512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 73/74页 |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616D |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页当前第73页第74页
TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 8
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
CLK
DQM
COM M A ND
CAS# latency=1
tCK1, DQ's
T0
T1
T2T3
T4T5
T6T7
T8
NOP
READ A
WRITE A
NOP
BANKA
ACTIVATE
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
1 Clk Interval
CAS# latency=2
tCK2, DQ's
: "H" or "L"
Read to Write Interval (Burst Length
≥≥≥≥ 4, CAS# Latency = 1, 2)
CLK
DQM
COM M A ND
CAS# latency=1
tCK1, DQ's
T0
T1
T2T3
T4T5
T6T7
T8
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
Must be Hi-Z before
the Write Command
CAS# latency=2
tCK2, DQ's
NOP
DOUT A0
: "H" or "L"
Read to Write Interval (Burst Length
≥≥≥≥ 4, CAS# Latency = 1, 2)
A read burst without the auto precharge function may be interrupted by a BankPrecharge/ PrechargeAll
command to the same bank. The following figure shows the optimum time that BankPrecharge/ PrechargeAll
command is issued in different CAS# latency.
CLK
C O MMA N D
CAS# la tency=2
tCK2 , DQ's
T0
T1
T2T3
T4T5
T6
T7
T8
READ A
NOP
Ac tiva te
NOP
Precharge
CAS# la tency=3
tCK3 , DQ's
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
ADDR ESS
CAS# latency=1
tCK1, DQ's
tRP
Bank,
Col A
Bank (s)
Bank,
Row
Read to Precharge (CAS# Latency = 1, 2, 3)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| T613-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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