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参数资料
| 型号： | T431616D |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100万× 16内存为512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 71/74页 |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616D |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 73
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
50 Pin TSOP II Package Outline Drawing Information
y
50
1
D
E
H
E
0.
2
5
4
θ°
L
L1
A
1
A
2
SB
e
L
L1
C
25
26
Symbol
Dimension in inch
Dimension in mm
Min
Normal
Max
Min
Normal
Max
A
-
0.047
-
1.20
A1
0.002
0.005
0.008
0.05
0.125
0.20
A2
-
0.039
-
1
B
0.012
0.015
0.018
0.3
0.375
0.45
c
-
0.006
-
0.155
-
D
0.82
0.825
0.83
20.82
20.95
21.08
E
0.398
0.400
0.402
10.11
10.16
10.21
e
-
0.031
-
0.80
-
HE
0.459
0.463
0.467
11.66
11.76
11.86
L
0.016
0.020
0.024
0.40
0.50
0.60
L1
-
0.0315
-
0.80
-
S
-
0.035
-
0.88
-
y
-
0.004
-
0.10
θθθθ
0
°
-
5
°
0
°
-
5
°
Notes :
1. Dimension D&E do not include interiead flash.
2. Dimension B does not include dambar protrusion/intrusion.
3. Dimension S includes end flash.
4. Controlling dimension : mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| T613-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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