参数资料
型号: TC4467COE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 6/22页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC
标准包装: 47
配置: 低端
输入类型: 与非
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 1.2A
配置数: 4
输出数: 4
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 671 (CN2011-ZH PDF)
TC4467/TC4468/TC4469
2.0
Note:
140
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONTINUED)
T A = +25°C, with 4.5 V ≤ V DD ≤ 18 V.
70
120
100
80
60
40
INPUT RISING
INPUT FALLING
t D2
t D1
V DD = 12 V
60
50
40
V DD = 17.5 V
= 470 pF
V IN
t D1
t D2
20
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V DRIVE (V)
° C)
FIGURE 2-7:
Times.
2.5
Input Amplitude vs. Delay
FIGURE 2-10:
vs. Temperatures.
3.5
Propagation Delay Times
V DD = 17.5 V
3.0
2.0
2.5
1.5
1.0
0.5
OUTPUTS = 0
OUTPUTS = 1
2.0
1.5
1.0
0.5
OUTPUTS = 1
OUTPUTS = 0
0
4
6
8
10
12
14
16
18
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V SUPPLY (V)
T JUNCTION ( ° C)
FIGURE 2-8:
vs. Supply Voltage.
35
30
25
20
15
10
5
Quiescent Supply Current
T J = +150 ° C
T J = +25 ° C
FIGURE 2-11:
vs. Temperature.
35
30
25
20
15
10
5
Quiescent Supply Current
T J = +150 ° C
T J = +25 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
18
0
4
6
8
10
12
14
16
18
V SUPPLY (V)
V
SUPPLY
(V)
FIGURE 2-9:
High-State Output
FIGURE 2-12:
Low-State Output
Resistance.
DS21425B-page 6
Resistance.
? 2002 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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