参数资料
型号: TC4467COE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 7/22页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC
标准包装: 47
配置: 低端
输入类型: 与非
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 1.2A
配置数: 4
输出数: 4
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 671 (CN2011-ZH PDF)
TC4467/TC4468/TC4469
2.0
Note:
60
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONTINUED)
(Load on single output only).
60
50
V DD = 18 V
2 MH z
1 MHz
50
V DD = 18 V
2200 pF
1 000 pF
40
30
20
5000 kHz
40
30
20
100 pF
10
200 kHz
10
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-13:
Capacitive Load.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
200 kHz
FIGURE 2-16:
Frequency.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
100 pF
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-14:
Capacitive Load.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
FIGURE 2-17:
Frequency.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
0
100
1000
200 kHz
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
100 pF
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-15:
Supply Current vs.
FIGURE 2-18:
Supply Current vs.
Capacitive Load.
? 2002 Microchip Technology Inc.
Frequency.
DS21425B-page 7
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