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参数资料
| 型号： | TC58FT321-10 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 32M Bit (2M×16Bits ) CMOS Flash Memory(2M×16位CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 32兆位（200万× 16位）的CMOS快闪记忆体（200万× 16位的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 18/46页 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | TC58FT321-10 |
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TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 18/46
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
RANGE
UNIT
V
DD
V
DD
Supply Voltage
0.6~4.6
V
V
IN
Input Voltage
0.6~V
DD
+
0.5 (
≤
4.6)
V
V
DQ
Input/Output Voltage
0.6~V
DD
+
0.5 (
≤
4.6)
V
V
IDH
Maximum Input Voltage for A9,
OE
and
RESET
13.0
V
V
ACCH
Maximum Input Voltage for
/ACC
WP
10.5
V
P
D
Power Dissipation
126
mW
T
SOLDER
Soldering Temperature (10 s)
260
°
C
T
STG
Storage Temperature
55~150
°
C
T
OPR
Operating Temperature
40~85
°
C
I
OSHORT
Output Short-Circuit Current
(1)
100
mA
(1) Outputs should be shorted for no more than one second.
No more than one output should be shorted at a time.
CAPACITANCE
(Ta
=
25°C, f
=
1 MHz)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MAX
UNIT
C
IN
Input Pin Capacitance
V
IN
=
0 V
4
pF
C
OUT
Output Pin Capacitance
V
OUT
=
0 V
8
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
=
0 V
7
pF
This parameter is periodically sampled and is not tested for every device.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
V
DD
V
DD
Supply Voltage
2.7
3.6
V
IH
Input High-Level Voltage
0.7
×
V
DD
0.3
(1)
V
DD
+
0.3
V
IL
Input Low-Level Voltage
0.2
×
V
DD
V
ID
High-Level Voltage for A9,
OE
and
RESET
11.4
12.6
V
ACC
High-Level Voltage for
/ACC
WP
8.5
9.5
V
Ta
Operating Temperature
40
85
°
C
(1)
2 V (pulse width of 20 ns max)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58FVT321-10 | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TC58FVB004FT-12 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
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| TC58FVB160A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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