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参数资料
| 型号： | TC58FT321-10 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 32M Bit (2M×16Bits ) CMOS Flash Memory(2M×16位CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 32兆位（200万× 16位）的CMOS快闪记忆体（200万× 16位的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 42/46页 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | TC58FT321-10 |
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TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 42/46
(2) TC58FVB321 (bottom boot block)
BLOCK ADDRESS
BANK ADDRESS
ADDRESS RANGE
BANK
#
BLOCK
#
A20 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12
BYTE MODE
WORD MODE
BA0
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L
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L
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L
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000000H~000FFFH
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BK3
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L
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H
H
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170000H~17FFFFH
0B8000H~0BFFFFH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58FVT321-10 | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| TC58FV321 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58NS256DC | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| TC58V32ADC | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| TC59RM716RB-6 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC58FV321 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-12 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-85 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB160A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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