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参数资料
| 型号： | TC58FT321-10 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 32M Bit (2M×16Bits ) CMOS Flash Memory(2M×16位CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 32兆位（200万× 16位）的CMOS快闪记忆体（200万× 16位的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 20/46页 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | TC58FT321-10 |
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TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 20/46
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
READ CYCLE
PRODUCT NAME
TC58FVT321/B321FT-10
OUTPUT CAPACITANCE LOAD (C
L
)
30 pF
100 pF
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX UNIT
t
RC
Read Cycle Time
90
100
ns
t
ACC
Address Access Time
90
100
ns
t
CE
CE
Access Time
90
100
ns
t
OE
OE
Access Time
40
40
ns
t
CEE
CE
to Output Low-Z
0
0
ns
t
OEE
OE
to Output Low-Z
0
0
ns
t
OH
Output Data Hold Time
0
0
ns
t
DF1
CE
to Output High-Z
30
30
ns
t
DF2
OE
to Output High-Z
30
30
ns
BLOCK PROTECT
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
t
VPT
V
ID
Transition Time
4
μ
s
t
VPS
V
ID
Set-up Time
4
μ
s
t
CESP
CE
Set-up Time
4
μ
s
t
VPH
OE
Hold Time
4
μ
s
t
PPLH
WE Low-Level Hold Time
100
μ
s
PROGRAM AND ERASE CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
Auto-Program Time (Byte Mode)
8
*
300
μ
s
t
PPW
Auto-Program Time (Word Mode)
11
*
300
μ
s
t
PCEW
Auto Chip Erase Time
50
*
s
t
PBEW
Auto Block Erase Time
0.7
*
10
s
t
EW
Erase/Program Cycle
10
5
Cycles
*
: Typ.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58FVT321-10 | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| TC58FV321 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58NS256DC | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| TC58V32ADC | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| TC59RM716RB-6 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC58FV321 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-12 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-85 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB160A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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