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参数资料
| 型号： | TN0200K-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 730mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TN0200K-T1-E3DKR |
New Product
TN0200K
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
r DS(on) ( Ω )
I D (A)
? TrenchFET ? Power MOSFET
20
0.4 at V GS = 4.5 V
0.5 at V GS = 2.5 V
0.73
0.65
? ESD Protected: 4000 V
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers
? Battery Operated Systems, DC/DC Converters
? Solid-State Relays
? Load/Power Switching-Cell Phones, Pagers
TO-236
(SOT-23)
D
G
1
Marking Code: K2ywl
100 Ω
S
2
3
D
K2 = Part Number Code for TN0200K
y = Year Code
w = Week Code
G
l = Lot Traceability
Top View
Ordering Information: TN0200K-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
±8
Unit
V
Pulsed Drain Current
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) b
a
Continuous Source Current (Diode Conduction) b
Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J, T stg
0.73
0.58
4
0.3
0.35
0.22
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b
R thJA
357
°C/W
Notes:
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
b. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
Document Number: 72678
S-71198–Rev. B, 18-Jun-07
www.vishay.com
1
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TN0200TS | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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